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标签 > SiC MOSFET

SiC MOSFET

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sic mosfet技术

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2024-01-26 标签:电容器驱动电路电压浪涌 464 0

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2023-12-07 标签:SiC MOSFET 478 0

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2023-12-05 标签:SiC驱动电压SiC MOSFET 2032 0

芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品

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芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能,使之...

2023-08-16 标签:MOSFET功率器件SiC MOSFET 560 0

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Model-Y Drive Unit的主要改进: 不再使用泄放电阻(可能使用电机绕组对母线电容放电); 使用本地隔离偏置为栅极驱动器电路供电,以降低...

2023-06-15 标签:变压器逆变器特斯拉 2659 0

新能源汽车功率模块结温在线监测技术研究

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提出一种Si IGBT和SiC MOSFET功率器件导通压降及电流在线检测电路,设计了兼具结温监测功能的驱动电路,并提出了- -种结温反推方法,提升了结...

2023-05-23 标签:MOSFETIGBT功率器件 441 0

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通过对现有功率器件封装方面文献的总结,从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件分为单面散热器件、双面散热器件和多面散热器件。

2023-04-26 标签:pcb半导体技术功率器件 1647 0

典型车用IGBT芯片结构设计解析

Sic MOSFET的正栅压目前已经于Si IGBT相当(+15V) ,但负栅压仍有很大差别(-5V) ,Sic MOSFET开关速度快引起的EMII问...

2023-04-17 标签:emiIGBT晶体管 471 0

《电动汽车电力电子技术及市场-2023版》

SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,将迅速增长并主导市场份额,IDTechEx在报告中给出了各类器件的应用时间表。虽然经过验证的SiC MOS...

2023-02-23 标签:电动汽车功率器件SiC MOSFET 1357 0

高压SiC MOSFET发展历程与研究现状

高压 SiC MOSFET 由于其单极工作模式,高击穿电压将严重限制器件的导通电流能力。例如对于10 kV 等级器件来说,室温下其电流等级约为 20~4...

2023-02-03 标签:SiCSiC MOSFET 3287 0

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IFWS&SSLCHINA2024 苏州盛大开幕,超千人齐聚探寻产业科技创新融合新思路

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2024年11月19日,第十届国际第三代半导体论坛SSLCHINA2024)在苏州开幕。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA...

2024-11-20 标签:半导体功率器件SiC MOSFET 300 0

车载用SiC MOSFET又增10个型号,业界丰富的产品阵容!

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ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 关键词 】 满足汽车电子产品可靠性标准...

2024-08-25 标签:元器件SiC MOSFET 219 0

如何更好地驱动SiC MOSFET器件?

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2024-05-13 标签:芯片MOSFETIGBT 588 0

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小米SU7单电机版,400V电压平台的电驱供应商为联合汽车电子,其中搭载了来自博世的碳化硅芯片,根据调研:其中搭载了博世第二代750V,6毫欧的芯片产品。

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2024-01-16 标签:电机电机驱动SiC MOSFET 281 0

全球汽车半导体行业正在以每年10%速度增长

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2023-12-21 标签:存储器功率器件半导体器件 782 0

安世半导体推出首款SiC MOSFET,聚焦电动汽车充电桩等市场

,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后安世半导体将持续扩大产品阵容,推出...

2023-12-05 标签:电动汽车充电桩SiC MOSFET 450 0

1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告

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2023-12-05 标签:二极管功率器件碳化硅 576 0

三安半导体首发8英寸碳化硅衬底,国内8英寸加速布局!

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2023-09-14 标签:SiC氮化镓碳化硅 1541 0

SiC MOSFET器件技术现状分析

对于SiC功率MOSFET技术,报告指出,650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代,单芯片电流可达200A。提升电流密度同时,解决好特有可靠...

2023-08-08 标签:二极管MOSFET光电半导体 731 0

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